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摻雜質量分數為1.25% Gd2O3的 TiO2光催化劑,怎么算

作者:訪客發布時間:2021-11-12分類:催化劑及助劑瀏覽:87


導讀:(1)M(Gd2O3)==157*2+16*3==362M(TiO2)==48+16*2==80(2)n(Gd2O3)==1.25/362n(TiO2...

(1)M(Gd2O3)== 157*2+16*3 == 362 M(TiO2) == 48 +16*2 == 80(2)n(Gd2O3)== 1.25/362 n(TiO2) == (100-1.25)/80(3)每100克催化劑中: m(Gd2O30)== 1.25g m(TiO2) ==98.75g

二氧化鈦光催化劑的改姓問題

應該是改性問題吧~~~納米二氧化鈦的改性方法很多, 近年來,人們主要從以下兩個方面入手,提高 TiO2光催化劑的光譜響應范圍和光催化效率。其一是通過摻雜等手段降低 TiO2的禁帶寬度,增加其吸收波長。主要采用的方法有: 1)摻雜過渡金屬: 金屬離子摻雜可在半導體表面引入缺陷位置或改變結晶度,成為電子或空穴的陷阱而延長壽命;2)表面光敏化:將光活性化合物化學吸附或物理吸附于催化劑表面從而擴大激發波長范圍, 增加光催化反應的效率; 3)表面螯合及衍生作用: 含硫化合物、OH-和乙二胺四乙酸 (EDTA )等螯合劑能影響一些半導體的能帶位置,使導帶移向更負的位置。其二是加入電子俘獲劑,使光生電子和空穴有效分離,降低 e-和 h+的復合速率, 主要采用的方法有: 1)貴金屬沉積: TiO2 表面沉積適量的貴金屬, 有利于光生電子和空穴的有效分離以及降低還原反應(質子的還原、溶解氧的還原)的超電壓, 大大提高了催化劑的活性, 研究最多的為 Pt的沉積, 其次Ag 、Pd和 Nb等金屬的摻雜也能降低 TiO2 的帶隙能; 2)復合半導體: 不同金屬離子的配位及電負性不同而產生過剩電荷, TiO2與半導體復合后增加半導體吸收質子或電子的能力, 從而提高催化劑的活性。在二元復合半導體中, 兩種半導體之間的能級差能使電荷有效分離; 3)電子捕獲劑: 加入O2、H2O2和過硫酸鹽等電子捕獲劑, 可以捕獲光生電子,降低 e-與 h+的復合幾率, 從而提高光催化效率。

納米二氧化鈦摻雜鑭負載金項目:對納米二氧化鈦使用微乳液法進行鑭摻雜改性,并負載金,大幅度提高選擇催化反應活性。微乳液法可在常溫常壓下進行,反應速度可控,粒度可控。鑭摻雜改性能夠抑制相變,提高光電子-空穴分離效率,進而提高光催化活性。 負載金可加大溫度寬帶范圍,減少催化劑失活。 參考河北麥森鈦白粉

標簽:二氧化鈦催化劑問題


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