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中國要造出5nm的光刻機需要多長時間呢?

作者:化工綜合網發布時間:2022-05-28分類:無機化工瀏覽:300


導讀:光刻機,就是用光線在硅晶圓上刻畫出電路圖來。所以最核心的分為兩方面:一是技術,二是工藝。落實到具體的對象上,就是鏡頭和激光光源,以此來分析中國在這兩項技術上的所需的進程,就能大致了...

光刻機,就是用光線在硅晶圓上刻畫出電路圖來。所以最核心的分為兩方面:一是技術,二是工藝。落實到具體的對象上,就是鏡頭和激光光源,以此來分析中國在這兩項技術上的所需的進程,就能大致了解中國造出5nm的光刻機需要多長時間了。

為何非要5nm這個參數級的光刻機中國的中芯國際最近向荷蘭的ASML成功訂購了一臺光刻機,但生產最高極限是7nm的芯片,要想突破7nm的這個技術瓶頸,就必須使用EUV(極紫外光源)技術,這所購的這臺光刻機不含EUV光源的技術。

不是可以買嗎?但買到。因為:

EUV(極紫外光源)研究是多個國家參與的(包括美國)。根據《瓦森納協定》美國就可以決定不賣給你。上面說的中芯國際訂購的7nm芯片的光刻機,如果美國要使壞,要想成功訂購也是不容易的。

20年前明確的目標,是5nm的EUV光刻機研發的最佳時間早在1999年,EUV光刻機的地位就已經很明確了,誰有了EUV光刻機的技術,誰就有了芯片領域的未來。1997年的時候,美國的多家企業就發現了EUV技術商業價值,就聯合進行了開發,也已明確了目標,這是全世界都不是什么秘密,中國沒有進行相應的產業調整和重視。

研發5nm的EUV光刻機所需的資源5nm的光刻機,必然要用到EUV技術,美國研發的最早,我們看一下世界范圍內關于EUV技術研究和投入的情況:

1、美國

美國對EUV技術的研發時間最長,總共投入了50多個高校和科技企業進入到這個領域,最終在EUV光刻機領域,美國的占領先地位,收益也是最大的。

2、歐洲

對于EUV光刻機看的最重,聯合了35個國家,共110多個高校和企業加入到研究的行列中。

3、日本和韓國

投入相對較小,但也有一定的成果

就是說,EUV(紫外光源)的研究是多個國家參與的,包括了美國、歐洲多國還有日本、韓國,美國出力最多,所以不買給中國。

結論:幾十個國家,上百所研究單位,花費了20多年的時間,才研發出今天的EUV光刻機,實現了5nm級別制程的芯片。

到底研究了啥要生產EUV光刻機,最關鍵和核心的研究課題有兩個:鏡頭和激光光源。

1、鏡頭

現在世界上高端光刻機使用的是德國的卡爾蔡司光學鏡頭,世界上沒有哪家公司能夠復制卡爾蔡司的技術。

從長遠觀點看,中國也應發展自己的高端鏡頭產業,但中國與德國的關系還算可以, 不妨先拿來用,一邊用一邊研究,這樣可以減少研發時間。

2、激光光源

這個核心技術是必須研究的,因為美國把持著《瓦森納協定》,中國處在被禁運國家之列。就是說只要美國干預,中國將無法獲得EUV光刻機。

因為這個EUV技術,美國和歐洲幾十個國家(包括日本和韓國)研究了20多年,中國需要用多久呢?心里應該有一個底了吧。

綜上所述,中國要研發EUV技術需要投入相當大的資源,當然中國是一個工業部門齊全的大國,集中力量辦大事是中國制度的優點,但是,研發需要遵重科學規律,要有一個過程,像歐美日韓都需要近20年時間,那們打個折扣,總需要10年吧。歡迎討論,謝謝點評!

最近關于芯片的話題十分火爆,并且引起了網友們關注,從而也有很多人將關注點延伸到有芯片的設備上,提到制造芯片的設備,那首先想到的就一定是光刻機,所以大家針對光刻機的關注度不小于芯片。

從源頭延伸,談光刻機那就一定要了解ASML(阿斯麥),以目前的情況來講這家企業,稱得上是全球光刻機生產企業的獨角獸,最高端及最先進的光刻機,都是由這家公司生產的,像臺積電、三星、英特爾甚至華為這樣國內頂尖的科技企業,都對其有所依賴。

但是在大家將目光的關注點都放在光刻機上的時候,一定要了解在芯片制造過程當中中,其實還有一件設備起到關鍵性作用,這種設備和光刻機類似,那就是刻蝕機,可能很多人對光刻機的了解,要遠遠高于刻蝕機,但這并不足為奇。

不過這里要著重的說一點,雖然很多人在光刻機的研發進度上有唱衰的想法,但在刻蝕機的技術領域中,我們國家還是十分先進的,并且在2018年中微半導體,就已經實現量產5nm的刻蝕機,目前已交給臺積電驗證了。

如今,中微與泛林、應用材料、東京電子、日立4家美日企業一起,組成了國際第一梯隊,為7納米芯片生產線供應刻蝕機。而明年,臺積電將率先進入5納米制程,已通過驗證的國產5納米刻蝕機,預計會獲得比7納米生產線更大的市場份額。

事實上目前中國能生產的光刻機的技術是90nm,還在攻關65nm,45nm等技術,離ASML的7nm量產技術,差得還太遠,別說幾十年,十年八年的差距還是有的。

ASML光刻機其實這兩種設備的功能是完全不一樣的,光刻機的意思是用光來刻錄,即用光線在硅晶圓上刻畫出電路圖來。而刻蝕機則相反,用光來把不需要的部分去掉,只保留劃了電路圖的部分。

為何國內能生產5nm的刻蝕機,卻只能生產90nm的光刻機最主要的原因是光刻機技術更復雜,設備也更復雜,很多的零部件是美日韓壟斷的,比如光源,國產的就完全技術不過關,跟不上。甚至不僅是中國跟不上,之前和ASML一樣輝煌的尼康、cannon都落后了,跟不上ASML的節奏了。

標簽:刻機中國多長


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