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光觸媒的特點和缺點?

作者:訪客發(fā)布時間:2021-11-12分類:催化劑及助劑瀏覽:96


導讀:光觸媒產品是否一定要紫外線激發(fā)?  不同材質的光觸媒對應的光波波長也不一樣,二氧化鈦(TiO2)是最常用的光觸媒原料,普通二氧化鈦(TiO2)需要在波長388nm(屬于紫外光)以下...

光觸媒產品是否一定要紫外線激發(fā)?  不同材質的光觸媒對應的光波波長也不一樣,二氧化鈦(TiO2)是最常用的光觸媒原料,普通二氧化鈦(TiO2)需要在波長388nm(屬于紫外光)以下的光照下,才能起光催化作用。納米尺寸的(TiO2)性能異于普通(TiO2)粒子,能在可見光范圍內就有很好的響應效果,優(yōu)質二氧化鈦類光觸媒粒徑在10nm以下,其在通過貴金屬摻雜、過度金屬摻雜、稀土元素摻雜改性后,其能在可見光范圍內響應且催化效率增強。只需要有光便能使光催化反應發(fā)生,不一定須要紫外線,銀河系光觸媒就是一個很不錯的產品。

合成光催化劑為什么要加表面活性劑

應該是改性問題吧~~~納米二氧化鈦的改性方法很多, 近年來,人們主要從以下兩個方面入手,提高 TiO2光催化劑的光譜響應范圍和光催化效率。其一是通過摻雜等手段降低 TiO2的禁帶寬度,增加其吸收波長。主要采用的方法有: 1)摻雜過渡金屬: 金屬離子摻雜可在半導體表面引入缺陷位置或改變結晶度,成為電子或空穴的陷阱而延長壽命;2)表面光敏化:將光活性化合物化學吸附或物理吸附于催化劑表面從而擴大激發(fā)波長范圍, 增加光催化反應的效率; 3)表面螯合及衍生作用: 含硫化合物、OH-和乙二胺四乙酸 (EDTA )等螯合劑能影響一些半導體的能帶位置,使導帶移向更負的位置。其二是加入電子俘獲劑,使光生電子和空穴有效分離,降低 e-和 h+的復合速率, 主要采用的方法有: 1)貴金屬沉積: TiO2 表面沉積適量的貴金屬, 有利于光生電子和空穴的有效分離以及降低還原反應(質子的還原、溶解氧的還原)的超電壓, 大大提高了催化劑的活性, 研究最多的為 Pt的沉積, 其次Ag 、Pd和 Nb等金屬的摻雜也能降低 TiO2 的帶隙能; 2)復合半導體: 不同金屬離子的配位及電負性不同而產生過剩電荷, TiO2與半導體復合后增加半導體吸收質子或電子的能力, 從而提高催化劑的活性。在二元復合半導體中, 兩種半導體之間的能級差能使電荷有效分離; 3)電子捕獲劑: 加入O2、H2O2和過硫酸鹽等電子捕獲劑, 可以捕獲光生電子,降低 e-與 h+的復合幾率, 從而提高光催化效率。

標簽:成光表面活性劑催化劑


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